積層型半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121539
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151644
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】本発明は、任意のサイズの複数の半導体素子を積層状態で一つのパッケージに収容することのできる積層型半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】外部接続用端子が設けられたフレキシブルプリント基板26に第1の半導体素子22を搭載する。第1の半導体素子22上にプリント配線基板32を設け第1の半導体素子22をフリップチップ実装する。プリント配線基板32上に第2の半導体素子24を固定する。第2の半導体素子24をフレキシブルプリント基板26にワイヤボンディングし、第1の半導体素子22をプリント回路基板32を介してフレキシブルプリント基板26にワイヤボンディングする。

請求項（抜粋）：

外部接続用端子が設けられた第1の基板と、該第1の基板の該外部接続用端子が設けられた面の反対側の面に設けられた第1の端子と、該第1の基板上に搭載された少なくとも一つの第1の半導体素子と、該第1の半導体素子上に設けられた第2の基板と、該第2の基板上に搭載された少なくとも一つの第2の半導体素子とがパッケージされた積層型半導体装置であって、前記第1の半導体素子及び前記第2の半導体素子の少なくとも一方は、前記第2の基板の第2の端子に電気的に接続され、且つ前記第2の端子は前記第1の端子にワイヤボンディングされたことを特徴とする積層型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/065 , H01L 23/12 501 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (2件)：

H01L 23/12 501 W , H01L 25/08 Z

引用特許：

出願人引用 (7件)

多層化集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-067061 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-079597 出願人：東芝ケミカル株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-031545 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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審査官引用 (3件)

多層化集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-067061 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-079597 出願人：東芝ケミカル株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-031545 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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