特許

J-GLOBAL ID：200903061780898040

プラズマ放出装置及びプラズマ処理装置

発明者： 竹井 日出夫 ,  川村 裕明 ,  太田 賀文
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195290
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031121
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】大型の基板や、液晶表示装置用のガラス基板等の大型基板をプラズマ処理する際に、均一な高密度プラズマを生成する技術に関する。【解決手段】反応ガスをプラズマ化するプラズマ発生源20を複数有し、このプラズマ発生源20の全てにほぼ同じ密度のプラズマを発生させることができる。このため、かかる複数のプラズマ発生源20を処理対象となる基板8の大きさや形状に合わせて均等に配置することで、基板8の大きさにかかわらず全面にわたって均一なプラズマ密度のプラズマを生成し、プラズマ処理をすることができる。

請求項（抜粋）：

一対の放電電極と、前記放電電極間内にある放出口とを有し、前記一対の放電電極間にガスが導入されると共に高周波電圧が印加されると、前記ガスがプラズマ化され、前記放出口から放出されるように構成されたプラズマ発生源が複数設けられたことを特徴とするプラズマ放出装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M

Fターム (23件)：

4K057DA11 ,  4K057DB11 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM06 ,  4K057DM28 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-186837   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
• プラズマ処理方法および処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-288888   出願人：松下電子工業株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101985   出願人：株式会社フロンテック
• 特開昭54-050440
  

審査官引用 (5件)

• 半導体加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-186837   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
• プラズマ処理方法および処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-288888   出願人：松下電子工業株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101985   出願人：株式会社フロンテック
• 特開昭54-050440
  
• 特開昭54-050440