特許
J-GLOBAL ID:200903061802854107
磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (22件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 勝村 紘
, 橋本 良郎
, 風間 鉄也
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-326232
公開番号(公開出願番号):特開2009-151835
出願日: 2007年12月18日
公開日(公表日): 2009年07月09日
要約:
【課題】コストの増加を抑制しつつ、磁化反転をアシストする。【解決手段】スピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリは、固定層11と記録層13と非磁性層12とを有し、固定層及び記録層の磁化は膜面に対して垂直方向を向く磁気抵抗効果素子10aと、磁気抵抗効果素子の一端に接続されたソース線SLaと、磁気抵抗効果素子の他端に電流経路の一端が接続されたトランジスタTraと、トランジスタの電流経路の他端に接続され、ソース線と平行に延在されたビット線BLと、磁気抵抗効果素子及びトランジスタを介してビット線及びソース線間に書き込み電流Iを流し、ビット線を通過した書き込み電流によって発生された磁場の磁気抵抗効果素子に対する印加方向が磁気抵抗効果素子を通過する書き込み電流の方向と反対であるソース/シンカとを具備する。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
固定層と記録層と前記固定層及び前記記録層に挟まれた非磁性層とを有し、前記固定層及び前記記録層の磁化は膜面に対して垂直方向を向く磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子の一端に接続されたソース線と、
前記磁気抵抗効果素子の他端に電流経路の一端が接続されたトランジスタと、
前記トランジスタの前記電流経路の他端に接続され、前記ソース線と平行に延在されたビット線と、
前記磁気抵抗効果素子及び前記トランジスタを介して前記ソース線及び前記ビット線間に書き込み電流を流し、前記ビット線を通過した前記書き込み電流によって発生された磁場の前記磁気抵抗効果素子に対する印加方向が前記磁気抵抗効果素子を通過する前記書き込み電流の方向と反対であるソース/シンカと
を具備することを特徴とするスピン注入型の磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (5件):
G11C 11/15
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/08
, H01L 29/82
FI (5件):
G11C11/15 140
, G11C11/15 110
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, H01L29/82 Z
Fターム (49件):
4M119AA17
, 4M119BB01
, 4M119CC02
, 4M119CC05
, 4M119DD10
, 4M119DD17
, 4M119DD22
, 4M119DD23
, 4M119DD24
, 4M119DD25
, 4M119DD26
, 4M119DD27
, 4M119DD33
, 4M119DD45
, 4M119DD55
, 4M119EE22
, 4M119EE27
, 4M119FF05
, 4M119FF16
, 4M119FF17
, 4M119GG01
, 4M119GG05
, 4M119GG07
, 4M119HH01
, 4M119KK14
, 5F092AA15
, 5F092AB08
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD24
, 5F092AD25
, 5F092BB17
, 5F092BB18
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB25
, 5F092BB33
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB37
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB44
, 5F092BB45
, 5F092BC04
, 5F092BC42
, 5F092BC46
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
スピン注入FET
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-101531
出願人:株式会社東芝
審査官引用 (5件)
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