特許
J-GLOBAL ID：200903096718800580

磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
大野 英男

大野 英男 について

, 
池田 正二

池田 正二 について

, 
早川 純

早川 純 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-273329
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091794
出願日： 2006年10月04日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】高信頼性かつ低消費電力の磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリを提供する。【解決手段】磁気メモリセル1の強磁性自由層101の面積よりも接続面積112の小さい上部電極108を強磁性自由層101に接続し、電流107の印加により磁気メモリセル上で不均一な磁界を発生することにより、低電流かつ書き込み誤り率の小さいスピントランスファートルク磁化反転を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
非磁性膜を挟んで強磁性自由層と強磁性固定層とが形成された磁気抵抗効果素子と、 前記強磁性自由層の上面に接して配置された上部電極と前記強磁性固定層の下方に設置された下部電極とを有し、 前記強磁性自由層の上面の面積をAC、前記上部電極の前記強磁性自由層との接続面の面積をAEとするとき、AC>AE、かつ前記強磁性自由層の上面の重心座標と前記接続面の重心座標とが異なり、前記磁気抵抗効果素子に電流を流してスピントランスファートルクによって前記強磁性自由層の磁化を反転させて情報の書き込みを行うことを特徴とする磁気メモリセル。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15
FI (4件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 140
Fターム (30件)：
4M119AA01 ,  4M119AA05 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD22 ,  4M119DD32 ,  4M119DD45 ,  4M119EE08 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA01 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM