特許

J-GLOBAL ID：200903061816023895

トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法

発明者： 宋 俊 午 ,  成 泰 連 ,  郭 準 燮 ,  洪 雄 基
出願人/特許権者： 三星電子株式会社 ,  光州科學技術院
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-369466
公開番号（公開出願番号）：特開2005-184001
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板110、n型クラッド層130、活性層140、p型クラッド層150、マルチオーミックコンタクト層160が順次に積層されており、マルチオーミックコンタクト層160は、改質金属層160a/透明伝導性薄膜層160bを基本単位として少なくとも1組以上反復積層されており、改質金属層160aは、銀を主な成分として形成されているトップエミット型窒化物系発光素子である。これにより、p型クラッド層150とのオーミック接触特性が改善して、優秀な電流-電圧特性を示すだけでなく、高い光透過性を提供して素子の発光効率を高めうる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

n型クラッド層とp型クラッド層との間に活性層を有するトップエミット型窒化物系発光素子において、 前記p型クラッド層上に改質金属層/透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも1組以上が反復積層されたマルチオーミックコンタクト層を具備することを特徴とするトップエミット型窒化物系発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28

FI (4件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R

Fターム (21件)：

4M104AA04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6,287,947号明細書(Michael J.Ludowise etc.)
  

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-328558   出願人：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-279967   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-382164   出願人：澤木宣彦, シャープ株式会社