特許
J-GLOBAL ID：200903061839649546

基板の乾式化学処理方法及びその使用法

発明者：
リーバー、ステファン

リーバー、ステファン について

, 
ウィレケ、ゲールハルト

ウィレケ、ゲールハルト について


出願人/特許権者：
フラウンホッファー-ゲゼルシャフト ツァー フェーデルング デア アンゲバンテン フォルシュング エー ファー

フラウンホッファー-ゲゼルシャフト ツァー フェーデルング デア アンゲバンテン フォルシュング エー ファー について


代理人 (5件)： 龍華 明裕 ,  飯山 和俊 ,  明石 英也 ,  東山 忠義 ,  林 茂則
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543722
公開番号（公開出願番号）：特表2009-518834
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】基板の乾式化学処理方法及びその使用法を提供する。【解決手段】本発明は、加熱された反応チャンバ内で、エッチング剤として塩化水素を含有するガスによりシリコン、セラミック、ガラス、及び石英ガラスから成る群から選択される基板を処理する基板の乾式化学処理方法、及びこの方法により製造することができる基板に関する。本発明は、上記の方法の使用法にも関する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板の乾式化学処理方法であって、 加熱された反応チャンバ内で、塩素含有ガス、又は少なくとも一種の塩素含有化合物を含有するガス、を含むエッチングガスにより、シリコン、セラミック、ガラス、及び石英ガラスから成る群から選択される基板を処理する間に、前記基板の体積中に含有される不純物及び/又は外来原子が少なくとも部分的に除去されるように温度と前記エッチングガスの濃度とを選択して前記基板を洗浄する方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/205 ,  B08B 3/10 ,  B08B 3/08
FI (5件)：
H01L21/304 645B ,  H01L21/302 201A ,  H01L21/205 ,  B08B3/10 Z ,  B08B3/08 Z
Fターム (40件)：
3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AA46 ,  3B201AB01 ,  3B201BB82 ,  3B201BB98 ,  3B201BC01 ,  3B201CB01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DA29 ,  5F004DB28 ,  5F004EA35 ,  5F004FA08 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045CA13 ,  5F045HA03 ,  5F157AA28 ,  5F157AA46 ,  5F157AA49 ,  5F157AA72 ,  5F157AA78 ,  5F157AC01 ,  5F157BG02 ,  5F157BG05 ,  5F157BG76 ,  5F157BG77 ,  5F157BH18 ,  5F157DB37
引用特許：
審査官引用 (7件)
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