特許
J-GLOBAL ID：200903013116830264

珪素系半導体基板の清浄化方法

発明者：
羽深 等

羽深 等 について

, 
大塚 徹

大塚 徹 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209713
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040525
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 自然酸化膜の再成長や金属不純物の熱拡散を防止しながら、珪素系半導体基板上の有機物や金属不純物を除去する。【解決手段】 キャリア・ガスとしては還元的雰囲気を維持できるH2 ガスを一貫して使用し、付着有機物はHFガスで分解、金属不純物はHClガスで金属塩化物に変化させる。いずれの処理でも出発物質より蒸気圧の高い生成物が得られるので、これらをより高温のH2 ガス雰囲気中で気化させる。プロセス全体を1000°C以下に低温化することができる。これらの不純物が酸化膜上に付着している場合、上記の処理に先立ち、該酸化膜の収着水分を保持し得る100°C未満の温度域でHFガス処理を行えば、酸化膜を除去することができ、HFガス処理やHClガス処理を最初から100°C以上の温度で行えば、酸化膜を残すことができる。
請求項（抜粋）：
珪素系半導体基板の主表面に付着している有機物を、第1の温度においてフッ化水素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で分解する第1工程と、前記第1工程で生じた分解生成物を前記第1の温度よりも高い第2の温度において水素ガス雰囲気中で気化させる第2工程とを有することを特徴とする珪素系半導体基板の清浄化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 P
引用特許：
審査官引用 (4件)
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