化学気相成長用原料及び薄膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：羽鳥修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-155543
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340405
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】高分解性の金属化合物をプレカーサに用いたCVD用原料であり、薄膜のパーティクル汚染を低減できるものを提供すること。【解決手段】金属化合物からなるプレカーサを含有してなり、液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数が1ml中100個以下である化学気相成長用原料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属化合物からなるプレカーサを含有してなり、液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における0.5μmより大きい粒子の数が1ml中100個以下である化学気相成長用原料。

IPC (2件)：

H01L21/316 , C23C16/40

FI (2件)：

H01L21/316 X , C23C16/40

Fターム (12件)：

4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030BA42 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH01

引用特許：

出願人引用 (4件)

液体原料を用いた表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-119130 出願人：アネルバ株式会社
タンタルチタンダブルエトキシドとその製法およびそれを用いた酸化物膜の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-280950 出願人：株式会社高純度化学研究所
ジルコニウムおよびハフニウムシリケート膜形成用CVD原料組成物とその製法ならびにそれを用いたシリケート膜の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-272283 出願人：株式会社高純度化学研究所

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審査官引用 (5件)

気化器及び気化供給装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-136892 出願人：日本パイオニクス株式会社
鉛ビス(β-ジケトネート)の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-384491 出願人：株式会社高純度化学研究所
前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122174 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

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