薄膜エレクトロルミネセンス構造を成長させる方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外13名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-156682
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087029
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】原子層エピタキシー法によりセリウムをドーピングしたSrSけい光体層を成長させる方法。【構成】少なくとも一つのシクロペンタジエニル型の配位子を含有する有機金属セリウム化合物をドーパントのセリウム前駆体として使用する。シクロペンタジエニル型のセリウム化合物は約400°Cの気体温度でALE前駆体として用いることができ、処理中に何らの熱分解も観察されない。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つのシクロペンタジエニル型の配位子を含有する有機金属セリウム化合物をセリウムドーパントの前駆体として使用することを特徴とする原子層エピタキシー法によりセリウムをドーピングしたSrSけい光体層を成長させる方法。

IPC (6件)：

C09K 11/08 , C03C 17/25 , C09K 11/56 CPC , H05B 33/10 , H05B 33/14 , H05B 33/26

FI (7件)：

C09K 11/08 E , C09K 11/08 G , C03C 17/25 A , C09K 11/56 CPC , H05B 33/10 , H05B 33/14 Z , H05B 33/26 Z

引用特許：

出願人引用 (6件)

エレクトロルミネッセンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231589 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭63-184286
特開昭51-077589

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審査官引用 (10件)

エレクトロルミネッセンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231589 出願人：旭化成工業株式会社
特開昭63-184286
特開昭63-184286

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