特許
J-GLOBAL ID：200903062001491475

エッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と電子機器

発明者：
▲じょ▼ 奎哲

▲じょ▼ 奎哲 について


出願人/特許権者：
株式会社フロンテック

株式会社フロンテック について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303057
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133635
出願日： 1998年10月23日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗のAl膜又はAl合金膜に他の金属膜を積層した積層膜を配線材料として用いる場合に、上記積層膜を構成する各金属膜を一回のエッチングにより略同一エッチングレートでエッチングできるエッチング剤及びこれを用いた電子機器用基板の製造方法と、これにより製造した基板を有する電子機器の提供。【解決手段】 フッ酸と過ヨウ素酸と硫酸とを有し、前記フッ酸と過ヨウ素酸との合計の重量割合が0.05ないし30wt%であり、かつ前記硫酸の重量割合が0.05乃至20wt%であり、前記フッ酸に対する過ヨウ素酸の重量比が0.01乃至2であり、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜とチタン膜又はチタン合金膜とを積層してなる配線5,12,14の各膜を略同一エッチングレートで一括的にエッチング可能な材料からなることを特徴とするエッチング剤。
請求項（抜粋）：
フッ酸と過ヨウ素酸と硫酸とを有し、前記フッ酸と過ヨウ素酸との合計の重量割合が0.05ないし30wt%であり、かつ前記硫酸の重量割合が0.05乃至20wt%であり、前記フッ酸に対する過ヨウ素酸の重量比が0.01乃至2であり、アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜とチタン膜又はチタン合金膜とを積層してなる配線の各膜を略同一エッチングレートで一括的にエッチング可能な材料からなることを特徴とするエッチング剤。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (2件)：
H01L 21/306 F ,  H01L 21/308 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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