特許
J-GLOBAL ID：200903062053836608
有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
出願人/特許権者：
三洋電機株式会社
三洋電機株式会社 について
代理人 (2件)： 目次 誠 , 宮▲崎▼主税
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-050035
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066380
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】低電圧で駆動可能で、かつ発光効率が高い有機EL素子を得る。【解決手段】陰極51及び陽極52の間に配置される中間ユニット30と、陰極51と中間ユニット30の間に配置される第1の発光ユニット41と、陽極52及び中間ユニット30の間に配置される第2の発光ユニット42とを備え、中間ユニット30には電子引き抜き層と、電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とが設けられており、電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(B)│が、│HOMO(B)│-│LUMO(A)│≦1.5eVの関係にあり、中間ユニット30は、電子の引き抜きにより発生したホールを第1の発光ユニット41に供給するとともに、引き抜いた電子を電子注入層を介して第2の発光ユニット42に供給することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
陰極と、陽極と、前記陰極及び前記陽極の間に配置される中間ユニットと、前記陰極及び前記中間ユニットの間に配置される第1の発光ユニットと、前記陽極及び前記中間ユニットの間に配置される第2の発光ユニットとを備え、
前記中間ユニットに、陰極側に隣接する隣接層から電子を引き抜くための電子引き抜き層と、前記電子引き抜き層の陽極側に隣接する電子注入層とが設けられており、前記電子引き抜き層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値│LUMO(A)│と、前記隣接層の最高被占分子軌道(HOMO)のエネルギーレベルの絶対値│HOMO(B)│が、│HOMO(B)│-│LUMO(A)│≦1.5eVの関係にあり、前記電子注入層の最低空分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルの絶対値|LUMO(C)|または仕事関数の絶対値|WF(C)|は、|LUMO(A)|より小さく、
前記中間ユニットは、前記電子引き抜き層による前記隣接層からの電子の引き抜きにより発生したホールを前記第1の発光ユニットに供給するとともに、引き抜いた電子を前記電子注入層を介して前記第2の発光ユニットに供給することを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
IPC (4件)：
FI (4件)：
Fターム (17件)：
3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007BA05
, 3K007BA06
, 3K007BB06
, 3K007DA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 4C050AA01
, 4C050AA08
, 4C050BB08
, 4C050CC08
, 4C050EE06
, 4C050FF02
, 4C050FF10
, 4C050GG01
, 4C050HH01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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有機エレクトロルミネッセント素子
公報種別：公開公報 出願番号：特願2003-070135 出願人：城戸淳二, 株式会社アイメス -
有機半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機太陽電池
公報種別：公開公報 出願番号：特願2002-352488 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所 -
有機EL発光素子およびそれを用いた発光装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平10-138326 出願人：出光興産株式会社
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