特許
J-GLOBAL ID：200903062058688704
半田およびそれを用いた電子部品の接続方法ならびに電子回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213369
公開番号（公開出願番号）：特開平10-058184
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：
【要約】【課題】 Pbを含有しない低毒性の半田材料を提供する。【解決手段】 91.5重量%≦Sn<100重量%、0重量%<Ag≦3.5重量%、0重量%<In≦5.0 重量%の組成で構成されたSn-Ag-In合金からなる半田材料を提供する。この半田は、Pbを含有するSn-Pb共晶合金系の半田に比べて毒性が低く、融点、濡れ性、強度と伸びのバランスといった半田付け性では、Sn-Pb共晶合金系半田に近い特性を備えている。
請求項（抜粋）：
SnとAgとInとを含有することを特徴とする半田。
IPC (5件)：
B23K 35/26 310
, C22C 13/00
, H05K 3/34 506
, H05K 3/34 507
, H05K 3/34 512
B23K 35/26 310 A
, C22C 13/00
, H05K 3/34 506 F
, H05K 3/34 507 J
, H05K 3/34 512 C
