特許
J-GLOBAL ID：200903062234865782
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-318957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163498
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 ガラス等の絶縁性基板上に、精度の良いLDD構造を簡単に作成することのできる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 サイドウォール6を有するLDD構造TFTで、サイドウォール6とゲート絶縁膜3との間にサイドウォール6と膜質の異なるエッチングストッパ層5が形成されており、サイドウォール6を異方性エッチングにより形成する際にこのストッパ層5で異方性エッチングを停止することができる。
請求項（抜粋）：
チャネル領域と、チャネル領域の両側に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域と前記ソース領域との間、前記チャネル領域と前記ドレイン領域との間の少なくとも一方に形成された低不純物濃度領域と、を有する半導体層と、前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極の側方で前記低不純物濃度領域上の少なくとも一部に形成されたサイドウォールと、前記ゲート絶縁膜と前記サイドウォールとの間に形成されたエッチングストッパ層と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 616 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 617 J
