特許
J-GLOBAL ID：200903062271860057

放射線検出器

発明者：
青木 徹

青木 徹 について

, 
畑中 義式

畑中 義式 について


出願人/特許権者：
国立大学法人静岡大学

国立大学法人静岡大学 について


代理人 (1件)： 梅村 勁樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251751
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073575
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。 【解決手段】図4左に示すように、基板(1)にp-型半導体を用い、n+層(3)のドーピングを行う。隣接する検出素子間ではn-p-n接合となり、電流が流れない。また、図4中で示すように、n層をドーピングする前にp層を作成することも考えられる。これは、検出素子間に選択的に作成した例である。上面全体にp層を作成し、その上からn+層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。n+層には信号を取り出すための電極を設ける。また基板の反対側には共通電極を設けるものとする。共通電極側にはp+層をドーピングなどにより作成しておいてもよい。さらにレーザ加工により、分離溝(6)を作成する。ここではpのドーピングを行っていない例を示している。分離溝(6)の形成はカッター切り込みによることも可能である。 【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体を用いる放射線検出器において、II-VI族半導体の片面に各検出素子ごとに形成されたドーピング層と、前記検出素子間を電気的に分離する検出素子用としてのドーピング層とは逆の導電性を有する半導体部分を設け、前記ドーピング層に信号電極を設け、反対面に共通電極を設けてなる放射線検出器。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24 ,  H01L 31/09
FI (3件)：
H01L27/14 K ,  G01T1/24 ,  H01L31/00 A
Fターム (22件)：
2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB01 ,  4M118BA03 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA27 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AB09 ,  5F088BA20 ,  5F088BB10 ,  5F088EA04 ,  5F088EA13 ,  5F088LA07
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM