特許
J-GLOBAL ID：200903062305868230

基板表面金属汚染除去方法及び半導体基板

発明者：
小黒 志津夫

小黒 志津夫 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-320120
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154659
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 SiO2膜で覆われたSi基板表面に存在する金属不純物を除去する方法に関し、特に従来の洗浄溶液ではほとんど溶融しない、Pt、Ir、Ru等の金属汚染を除去することを目的とする。【解決手段】 HFまたはNH4Fを含む洗浄溶液を用いて、下地のSi基板もしくは下層デバイス領域が露出しない程度に基板表面のSiO2膜をエッチングすることにより、SiO2膜と共に金属を除去し、かつ、洗浄溶液からの金属の再付着を防止する。
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜(SiO2膜)で覆われた半導体基板表面に付着した金属汚染物質の除去方法であって、前記SiO2膜をエッチングし、前記SiO2膜をエッチング前より薄膜にすることを特徴とする基板表面金属汚染除去方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (3件)：
H01L 21/304 641 ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/306 D
引用特許：
審査官引用 (9件)
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