特許

J-GLOBAL ID：200903062311985397

表面を荒くしたポリシリコン電極を有するDRAMのメモリセル

発明者： 鄭 晃忠 ,  劉 漢文 ,  黄 啓達 ,  嚴 以傑
出願人/特許権者： 台湾茂▲しい▼電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012058
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209398
出願日： 1997年01月07日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 DRAMのメモリセルのコンデンサの電極表面積を増加してその性能を高めること。【解決手段】 ポリシリコンを半導体基板上に形成する、該ポリシリコンをエッチングして多孔ポリシリコンを形成する、該多孔ポリシリコンをエッチングして表面が粗いポリシリコンを形成する、誘電層を該表面が粗いポリシリコン上に形成する、導電層を該誘電層の上に形成する、該導電層、誘電層、及び表面が粗いポリシリコンをエッチングする、以上のステップを包括する、集積回路のコンデンサ製造方法を提供した。

請求項（抜粋）：

ポリシリコンを半導体基板上に形成する、該ポリシリコンをエッチングして多孔ポリシリコンを形成する、該多孔ポリシリコンをエッチングして表面が粗いポリシリコンを形成する、誘電層を該表面が粗いポリシリコン上に形成する、導電層を該誘電層の上に形成する、該導電層、誘電層、及び表面が粗いポリシリコンをエッチングする、以上のステップを包括する、集積回路のコンデンサ製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 B ,  H01L 21/306 G ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-219370   出願人：日本電気株式会社
• 半導体集積回路装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-338592   出願人：日本電気株式会社
• DRAMメモリセルの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-113198   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-137789   出願人：富士通株式会社