特許
J-GLOBAL ID：200903062377367350

半導体装置およびその製造方法

発明者：
澁木 俊一

澁木 俊一 について

, 
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218363
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031652
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 絶縁膜材料に吸湿性を持つSiO2 膜を用いても上層への水分の浸透を抑制して上層に形成される有機絶縁膜の変質を抑制することで、信頼性の高い配線構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した絶縁膜構造を有する半導体装置において、絶縁膜構造は、吸湿性を有する第1の絶縁膜12と、前記第1の絶縁膜12上に形成された上層への水の透過を減少させる第2の絶縁膜13と、前記第2の絶縁膜13上に形成された有機絶縁膜14とを有する半導体装置である。
請求項（抜粋）：
無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した絶縁膜構造を有する半導体装置において、前記絶縁膜構造は、吸湿性を有する第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された上層への水の透過を減少させる第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に形成された有機絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
Fターム (28件)：
5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR03 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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