特許

J-GLOBAL ID：200903062396119952

III族窒化物半導体の製造方法、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子

発明者： 加地 徹
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280215
公開番号（公開出願番号）：特開2001-097800
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】【課題】AlGaN層の結晶性を良くすること。【解決手段】III族窒化物半導体レーザ400のクラッド層404及び408を、成長温度1000°CでInを導入した、厚さ1μmのInドープAl0.1Ga0.9Nで形成した。InのドープによりAlGaN層の結晶性が良くなった。これによりバンドギャップに与える影響が無視できるほど小さいまま、結晶性の良い厚いクラッド層を有するIII族窒化物半導体レーザを製造でき、単一横モード発振させるとともに閾値電流を小さくできた。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長による、主として窒化アルミニウム(AlN)又は窒化アルミニウムガリウムAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)から成るIII族窒化物半導体の製造方法において、インジウム(In)を導入することにより、インジウム(In)のドープされた窒化アルミニウム(AlN)又は窒化アルミニウムガリウムAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0<x<1)を得ることを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077EE08 ,  4G077FB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262169   出願人：昭和電工株式会社
• 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-045809   出願人：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-191085   出願人：科学技術振興事業団