特許

J-GLOBAL ID：200903062457360283

混合原子価導電性酸化物を用いたメモリ

発明者： リナーソン・ダレル ,  シュヴァリエ・クリストフ・ジェイ. ,  キニー・ウェイン ,  ランバートソン・ロイ ,  ロングコー・スティーブン・ダブリュ. ,  サンチェズ・ジョン・イー.・ジュニア ,  シュロス・ローレンス ,  スワブ・フィリップ・エフ.・エス. ,  ワード・エドモンド・アール.
出願人/特許権者： ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-530487
公開番号（公開出願番号）：特表2008-512857
出願日： 2005年09月01日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】【解決手段】混合原子価導電性酸化物を用いたメモリが開示されている。そのメモリは、酸素欠乏状態で導電性が下がる混合原子価導電性酸化物と、酸素に対する電解質であり、酸素イオンの移動を引き起こすのに有効な電場を促進する電解質トンネル障壁と、を備える。【選択図】図6A

請求項（抜粋）：

メモリ素子であって、 酸素欠乏状態で導電性が下がる混合原子価導電性酸化物と、 酸素に対する電解質であり、酸素イオンの移動を引き起こすのに有効な電場を促進する電解質トンネル障壁と、を備える、メモリ素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (12件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• バッファ化層メモリセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259085   出願人：シャープ株式会社
• 磁気セル及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-396201   出願人：株式会社東芝
• イオン伝導体のイオン伝導を利用した記憶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-284762   出願人：土井彰