特許
J-GLOBAL ID：200903062510764278

窒化物半導体レーザ装置とその光学装置

発明者：
津田 有三

津田 有三 について

, 
上田 吉裕

上田 吉裕 について

, 
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235946
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051637
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体基板を含む窒化物半導体レーザ素子をジャンクションダウンで設置した窒化物半導体レーザ装置の素子不良率を改善する。【解決手段】 窒化物半導体基板上に成長した電流狭窄構造を有する窒化物半導体レーザ素子チップであって、電流狭窄構造と実質的に対向する、窒化物半導体基板の裏面の位置を含むように、ワイヤーボンドを形成することによって、素子不良率を低減する。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板上に形成した電流狭窄構造を有する窒化物半導体レーザ素子チップであって、上記電流狭窄構造と実質的に対向する窒化物半導体基板の裏面の位置を含むように、ワイヤーボンドを形成することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ,  H01L 21/60 301 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01S 5/022 ,  H01L 21/60 301 N ,  H01S 5/323 610
Fターム (14件)：
5F044EE02 ,  5F044EE11 ,  5F073AA04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073CB14 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA32 ,  5F073EA29 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM