窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037827
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244061
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に、得られた結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1上に、第1の窒化物半導体2を成長させ、この第1の窒化物半導体2に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させた後、凹凸を有する第1の窒化物半導体2上に第2の窒化物半導体3を成長させる。また、得られた第2の窒化物半導体3を基板としこの上に素子構造として少なくともn型窒化物半導体、活性層、p型窒化物半導体を積層成長させてなる素子。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記第1の窒化物半導体に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第2の工程と、第2の工程後、前記凹凸を有する第1の窒化物半導体上に、第2の窒化物半導体を成長させる第3の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (5件)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 3/18 664 , H01S 3/18 673 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (56件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CB04 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA67 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073AA83 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073EA23 , 5F073EA28 , 5F073EA29 , 5F103AA05 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103KK01 , 5F103KK02 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103NN01 , 5F103PP08 , 5F103PP18 , 5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322132 出願人：豊田合成株式会社
エピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198305 出願人：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100215 出願人：日亜化学工業株式会社

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