特許
J-GLOBAL ID：200903062516776898
光記録保護膜用スパッタリングターゲット
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-166901
公開番号（公開出願番号）：特開平11-350119
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 1999年12月21日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング中に異常放電が生じにくくパーティクルの発生が少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 硫化亜鉛からなる緻密なマトリックス中に、粒径が30μm以下の二酸化ケイ素の粒子が均一に分散した焼結体組織を有する焼結体によりスパッタリングターゲットを構成する。
請求項（抜粋）：
硫化亜鉛および二酸化ケイ素を主成分とする焼結体からなる光記録保護膜用スパッタリングターゲットにおいて、前記焼結体中の二酸化ケイ素の粒径が30μm以下であることを特徴とする光記録保護膜用スパッタリングターゲット。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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光記録保護膜用スパッタリング・ターゲットおよびその製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平4-241148 出願人：同和鉱業株式会社 -
パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報 出願番号：特願平8-232854 出願人：三菱マテリアル株式会社 -
光記録膜用保護膜のための焼結体の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平10-083794 出願人：住友金属鉱山株式会社
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