特許
J-GLOBAL ID：200903062538930726
プラズマ処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161308
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340208
出願日： 1998年05月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 絶縁性の支持部材を採用しても,揺れや跳ね上がりが生じることなく被処理体を静電チャックからリフトアップ可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内には,載置面に静電チャック112を備えた下部電極106が配置される。下部電極106には,下部電極106の上下動により,載置面に対して相対的に上方または下方に移動する絶縁性のリフターピン116が内装される。処理終了後,静電チャック112内の薄膜112aへの高圧直流電圧の供給を停止することなく,処理室102内の圧力雰囲気が100mTorr〜500mTorrになるように不活性ガスを導入する。その後,薄膜112aへの電圧の供給を停止し,下部電極106を降下させて,静電チャック112により吸着保持されていたウェハWをリフターピン116によりリフトアップする。
請求項（抜粋）：
処理室内に配置された静電チャック上に被処理体を載置し,前記静電チャックに対して電力を印加して前記被処理体を保持した後,前記被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において:前記プラズマ処理を施した後,前記処理室内にガスを導入する工程と;前記静電チャックへの前記電力の供給を停止する工程と;前記被処理体を支持する支持部材を前記静電チャックに対して相対的に上昇させて,前記被処理体を前記静電チャックから分離する工程と;を含むことを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H05H 1/46
, C23C 14/34
, C23C 16/50
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
, H05H 1/46 M
, C23C 14/34 S
, C23C 16/50
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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