特許
J-GLOBAL ID:200903062547705468

箱型対向ターゲット式スパッタ装置及び化合物薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾身 祐助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-280634
公開番号(公開出願番号):特開2005-048227
出願日: 2003年07月28日
公開日(公表日): 2005年02月24日
要約:
【課題】 低温で下層の損傷が少なく、高品質の薄膜が形成できる箱型対向ターゲット式スパッタ装置を提供する。【解決手段】 直方体状の枠体71の6側面71a〜71fのうちの一つ71fを開口した開口側面とし、ターゲットとその周囲に設けられたターゲット面に垂直方向の対向モードの磁界とターゲット面に平行な方向のマグネトロンモードの磁界を形成する永久磁石からなる磁界発生手段とを備えた一対の対向ターゲット部100a、100bをその開口側面に隣接する両側の対向する側面に取着し、その他の側面71c〜71eを遮蔽板72c〜72e(71c,72cは手前側で図示なし)にて遮蔽した箱型対向式スパッタユニット70をその開口側面において真空容器11に取り付け、真空容器内に開口側面の開口部に対面するように基板20を配置して基板上に薄膜を形成するようにした箱型対向ターゲット式スパッタ装置において、箱型対向式スパッタユニット70の内部のプラズマ空間に電子を吸収する補助電極201aを設けたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
直方体状の枠体の6側面のうちの一つを開口した開口側面とし、ターゲットとその周囲に設けられたターゲット面に垂直方向の対向モードの磁界とターゲット面に平行な方向のマグネトロンモードの磁界を形成する永久磁石からなる磁界発生手段とを備えた一対の対向ターゲット部をその開口側面に隣接する両側の対向する側面に取着し、その他の側面を遮蔽した箱型対向式スパッタユニットをその開口側面において真空容器に取り付け、真空容器内に開口側面の開口部に対面するように基板を配置して基板上に薄膜を形成するようにした箱型対向ターゲット式スパッタ装置において、箱型対向式スパッタユニットの内部のプラズマ空間に電子を吸収する補助電極を設けたことを特徴とする箱型対向ターゲット式スパッタ装置。
IPC (1件):
C23C14/34
FI (1件):
C23C14/34 D
Fターム (17件):
3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA46 ,  4K029BA58 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DA10 ,  4K029DC16 ,  4K029DC28 ,  4K029DC32 ,  4K029DC43
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
  • 有機薄膜素子の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-142672   出願人:城戸淳二, 株式会社アイメス, 株式会社エフ・テイ・エスコーポレーション
  • 特開平2-018734
  • 特開昭63-270461
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