電界効果型半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-258324
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107043
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】高い効率でかつ低い電源電圧で動作可能であり、高い歩留りで製造可能な電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 n型チャネル領域3の一部に、イオン注入法により、n型チャネル領域3よりも低いキャリア濃度を有するn- 領域10を表面から所定の深さに至るように形成する。n- 領域10を含むn型チャネル領域3上にゲート電極8を形成する。これにより、n型チャネル領域3中でn- 領域10の周囲に形成される空乏層11により電流の流れを制御する。

請求項（抜粋）：

一導電型のチャネル領域上にゲート電極が形成された電界効果型半導体装置において、前記ゲート電極下の前記チャネル領域の一部に前記チャネル領域よりも低いキャリア濃度または前記一導電型と逆の導電型の空乏層形成用領域が前記ゲート電極との界面から所定の深さに至るように形成されたことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-062274
GaAs電界効果トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294722 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-005869 出願人：株式会社村田製作所

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