特許
J-GLOBAL ID：200903062640814528

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鍋 義博

鍋 義博 について

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波多野 正喜

波多野 正喜 について

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浅見 博

浅見 博 について

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森本 明大

森本 明大 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-130354
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288309
出願日： 2007年05月16日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】基板を貫通する開口部内に埋め込まれる導電層と、基板やパッドとの熱膨張係数の差により生じるクラックや剥がれと動作時の発熱密度の異なる領域を有する半導体素子における温度勾配を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10のアクティブ面に第1電子回路11と第2電子回路12とパッド電極13が形成され、半導体基板10のアクティブ面の反対側の面から基板の途中の深さまでの第1コンタクトホールCH1とパッド電極13に達する第2コンタクトホールCH2が形成され、第1コンタクトホールCH1及び第2コンタクトホールCH2の側壁面を被覆して絶縁層20と導電層21が形成され、さらに、アクティブ面の反対側の面から半導体基板の途中の深さまで第3開口部(断熱用開口部IH及び/または放熱用開口部)が形成され、断熱部(保護膜22)及びまたは熱伝導層が形成されている構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電子回路及び動作時の発熱密度が前記第1電子回路と異なる第2電子回路がアクティブ面に形成された半導体基板と、 前記アクティブ面上で前記第1電子回路及び/または前記第2電子回路に接続して形成されたパッド電極と、 前記半導体基板の前記アクティブ面の反対側の面から前記パッド電極に向けて前記半導体基板の途中の深さまで形成された第1開口部と、 前記第1開口部の底面から前記パッド電極に達するように形成され、前記第1開口部より径が小さい第2開口部と、 前記第1開口部及び前記第2開口部の側壁面を被覆して形成された絶縁層と、 前記絶縁層の内側において、少なくとも前記絶縁層の内壁面と前記第2開口部の底面を被覆して形成された導電層と、 前記半導体基板の前記アクティブ面の反対側の面から前記半導体基板の途中の深さまで形成された第3開口部と、 前記第3開口部に埋め込まれた断熱部と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 27/14 ,  H01L 23/02 ,  H01L 31/02
FI (4件)：
H01L23/12 J ,  H01L27/14 D ,  H01L23/02 F ,  H01L31/02 A
Fターム (21件)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA32 ,  4M118EA05 ,  4M118FA06 ,  4M118HA02 ,  4M118HA22 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  4M118HA36 ,  5F088BA10 ,  5F088BA11 ,  5F088BA15 ,  5F088BA20 ,  5F088BB03 ,  5F088GA04 ,  5F088JA20 ,  5F088KA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-374380   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-166669   出願人：キヤノン株式会社
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-042280   出願人：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
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審査官引用 (3件)

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