半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：後藤洋介 , 池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-355244
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186651
出願日： 2002年12月06日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】回路層と絶縁層の内部応力により反りが発生した状態においても実装可能であり、後に信頼性や多段積層に影響を与えないフレキシブルな形状とすることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板7の主面に回路層3が形成された半導体チップ1であって、半導体基板7の裏面にスリット2が形成され、スリット2内に樹脂8が埋め込まれている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に少なくとも回路層が形成された半導体装置において、上記半導体基板の裏面にスリットが形成され、このスリット内に充填材料が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/12

FI (2件)：

H01L23/12 501C , H01L23/12 501P

引用特許：

審査官引用 (7件)

マイクロ波半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-015025 出願人：株式会社東芝
FPCの導体回路形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-279904 出願人：株式会社フジクラ
特開昭59-107528

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