特許
J-GLOBAL ID：200903095948038524
シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法とその方法に用いられるプラズマCVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-054207
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330520
出願日： 1999年03月02日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 低温プラズマCVD法で形成する結晶質シリコン系薄膜光電変換層の成膜速度を高速化することによって、光電変換装置の生産効率を高めるとともにその性能をも改善する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、その光電変換装置に含まれる結晶質光電変換層をプラズマCVD法で堆積する条件として:下地温度が550°C以下であり;プラズマ反応室内に導入されるガスの主要成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつシラン系ガスに対する水素ガスの流量が50倍以上であり;プラズマ反応室内の圧力が5Torr以上に設定され;そして、1つのプラズマ放電電極上に装着された基板の堆積面とそれに対向する電極の表面との間の距離が1cm以内に設定されることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換装置は基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、この光電変換ユニットはプラズマCVD法によって順次積層された1導電型半導体層と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層と、逆導電型半導体層とを含むものであり、前記結晶質光電変換層を前記プラズマCVD法で堆積する条件として、下地温度が550°C以下であり、プラズマ反応室内に導入されるガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつその反応室内の圧力が5Torr以上に設定され、そして、1つのプラズマ放電電極上に装着された前記基板の堆積面とそれに対向する電極の表面との距離が1cm以内に設定されることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 V
, H01L 21/205
