熱処理装置、および、これを用いた半導体部材の熱処理方法と製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-363119
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265893
出願日： 1998年12月21日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】反応管からの金属汚染を低減できる熱処理装置、および、これを用いた半導体部材の熱処理方法と製造方法を提供する。【解決手段】第1の管の内部に配された第2の管および加熱器を有する熱処理装置において、前記第1の管は、密閉可能で、前記第2の管より耐衝撃性の高い石英ガラスからなる管であり、前記第2の管の少なくとも内面は、非酸化シリコンからなる面であり、ガスが、前記加熱器により加熱された高温の酸化シリコンからなる面を通過することなく、前記第2の管内部の処理空間に導入されるように、ガス流路が構成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の管の内部に配された第2の管および加熱器を有する熱処理装置において、前記第1の管は、密閉可能で、前記第2の管より耐衝撃性の高い石英ガラスからなる管であり、前記第2の管の少なくとも内面は、非酸化シリコンからなる面であり、ガスが、前記加熱器により加熱された高温の酸化シリコンからなる面を通過することなく、前記第2の管内部の処理空間に導入されるように、ガス流路が構成されていることを特徴とする熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/324 , H01L 21/205 , H01L 21/22 511

FI (3件)：

H01L 21/324 R , H01L 21/205 , H01L 21/22 511 M

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-332215 出願人：富士通株式会社
半導体基板の熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-256758 出願人：株式会社東芝
縦型熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-117688 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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