特許
J-GLOBAL ID：200903062697411144
空間光伝送用半導体レーザ装置および空間光伝送システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247209
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066947
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】高出力かつ低消費電力で高速変調が可能な空間光伝送用半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 活性層と、活性層を挟むガイド層と、活性層とガイド層を挟むクラッド層がGaAs基板上に形成された半導体レーザ素子220と、半導体レーザ素子220を覆うモールド樹脂部(223,224)とを備える。上記半導体レーザ素子220の活性層は、InGaAsである井戸層とその井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしている。また、半導体レーザ素子220は、樹脂モールドする前のチップ状態で25°Cにおける発振波長を868nm(857nm以上かつ871nm以下の範囲内)とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
活性層と、上記活性層を挟むガイド層と、上記活性層および上記ガイド層を挟むクラッド層がGaAs基板上に形成された半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子の少なくとも一部を覆うモールド樹脂部と
を備え、
上記半導体レーザ素子の上記活性層は、InGaAsである井戸層と上記井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしており、
上記半導体レーザ素子は、樹脂モールドする前のチップ状態で25°Cにおける発振波長が857nm以上かつ871nm以下であることを特徴とする空間光伝送用半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
5F173AA05
, 5F173AA06
, 5F173AA08
, 5F173AF04
, 5F173AF13
, 5F173AF15
, 5F173AF56
, 5F173AG05
, 5F173AH03
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP37
, 5F173AR14
, 5F173AR23
, 5F173AR36
, 5F173AR69
, 5F173MA02
, 5F173MC30
, 5F173ME06
, 5F173ME42
