特許
J-GLOBAL ID：200903065265552552
半導体レーザ素子、光ディスク装置および光伝送システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山崎 宏
, 前田 厚司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254556
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183927
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 低閾値電流・高出力動作とコスト低減とを両立できる半導体レーザ素子を提供すること。【解決手段】 第1導電型の半導体基板101上に順に積層された第1導電型の下クラッド層103,104、活性層106、第2導電型の第一上クラッド層108、および第2導電型の第二上クラッド層109を備える。ストライプ状のリッジ構造130をなす第2導電型の第三上クラッド層111と、第2導電型のコンタクト層113とを備える。第二上クラッド層109の第2導電型のドーピング濃度が、第一上クラッド層108および第三上クラッド層111の第2導電型のドーピング濃度よりも低く、1×1017cm-3以下である。第一上クラッド層108と第二上クラッド層109の層厚の総和が0.3μm以上1.5μm以下である。コンタクト層113との間でオーミック接合をなす一方、第二上クラッド層109との間でショットキー接合をなす電極層114を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に順に積層された第1導電型の下クラッド層、活性層、第2導電型の第一上クラッド層、および第2導電型の第二上クラッド層を備えるとともに、上記第二上クラッド層上に形成されたストライプ状のリッジ構造をなす第2導電型の第三上クラッド層と、上記リッジ構造の頂部に形成された第2導電型のコンタクト層とを備え、
上記第二上クラッド層の第2導電型のドーピング濃度が、上記第一上クラッド層および第三上クラッド層の第2導電型のドーピング濃度よりも低く、1×1017cm-3以下であり、
上記第一上クラッド層と第二上クラッド層の層厚の総和が0.3μm以上1.5μm以下であり、
上記コンタクト層との間でオーミック接合をなす一方、上記第二上クラッド層との間でショットキー接合をなす電極層を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S5/22
, H01S5/042
, H01S5/323
H01S5/22
, H01S5/042 612
, H01S5/323
5F173AA08
, 5F173AF35
, 5F173AF38
, 5F173AG05
, 5F173AH03
, 5F173AH47
, 5F173AJ04
, 5F173AJ06
, 5F173AK13
, 5F173AK24
, 5F173AP64
, 5F173AR24
, 5F173AR63
, 5F173AR93
, 5F173AR94
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
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