特許
J-GLOBAL ID：200903062698345072
処理装置及びその排気処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110242
公開番号（公開出願番号）：特開2000-008172
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：
【要約】【課題】 非晶質半導体薄膜形成用のCVD装置や該薄膜のエッチング装置などの処理装置において、未反応ガスや副生成物を効率良く除去する方法を提供する。【解決手段】 タングステン、モリブデン、レニウムのうちの少なくとも一つを主成分として含む高融点金属材料からなるフィラメント22を備えたトラップ手段21に未反応ガス及び副生成物を導入し、500°C以上に加熱された上記フィラメント22によって上記未反応ガス及び副生成物を分解し、トラップ21内壁に粉体として体積させ、除去する。
請求項（抜粋）：
基体または膜を処理するための処理装置の排気処理方法において、基体または膜の処理後の未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方を、タングステン、モリブデン、レニウムのうちの少なくとも一つを主成分として含む高融点金属材料からなるフィラメントを有するトラップ手段に導入し、前記トラップ手段内部で前記未反応ガス及び副生成物の少なくとも一方を処理することを特徴とする処理装置の排気処理方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/44
, H01L 21/205
C23C 16/50 Z
, C23C 16/44 J
, C23C 16/44 E
, H01L 21/205
