特許
J-GLOBAL ID：200903062722846495
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-250885
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106514
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 良好な特性を有するインダクタが形成された半導体集積回路装置を提供する。【構成】 インダクタ10を半導体基板11の上方に絶縁膜12及び第1、第2の層間絶縁膜14,17を介して複数層に成層した第1、第2の螺旋状金属配線層16,20によって構成されており、半導体基板11に対向する第1、第2の螺旋状金属配線層16,20を微細なものとして静電容量による損失を少なくしても、第1、第2の螺旋状金属配線層16,20が複数層であるため電気抵抗は大きくならない。このため静電容量による損失が減少でき、電気抵抗によるQファクタの低下等もなく、良好な特性を有するインダクタ10が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して螺旋状金属配線層でなるインダクタを設けた半導体集積回路装置において、前記インダクタが前記螺旋状金属配線層を複数層に成層してなるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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