特許
J-GLOBAL ID:200903062761540719

側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大貫 進介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-187248
公開番号(公開出願番号):特開平10-065279
出願日: 1997年06月30日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】 製造工程の簡略化とコスト低減を図った側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 垂直空洞面放出レーザ(VCSEL)は、第1および第2ミラー・スタックを有し、エピタキシャル層成長技法を用いて活性領域を形成する。側設光検出器は、エピタキシャル成長層において一体化されて形成され、これによって、側設一体化光検出器を有するVCSELが提供される。VCSELおよび光検出器間のエピタキシャル成長層内に分離領域が形成され、VCSELと光検出器を分離している。一体化VCSELおよび側設光検出器は、反射レーザ放出光を監視することによって、VCSELのレーザ・パワー出力を監視し、更にフィードバックを用いて特定のレーザ・パワー出力を維持することによって、自動パワー制御(APC)が可能となる。
請求項(抜粋):
側設一体化光検出器を有する垂直空洞面放出レーザであって:基板(50)上に形成された垂直空洞面放出レーザ(30);前記基板(50)上に、前記垂直空洞面放出レーザ(30)に隣接して形成された側設一体化光検出器(40);および前記垂直空洞面放出レーザ(30)と前記側設一体化光検出器(40)との間に形成され、前記側設一体化光検出器(40)から前記垂直空洞面放出レーザ(30)を分離する分離領域(53);から成ることを特徴とする垂直空洞面放出レーザ。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/133
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/133
引用特許:
審査官引用 (8件)
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