半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022958
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235722
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】特性の揃った半導体レーザを容易に作製できる製造方法を得る。【構成】 n型基板1上に、n型クラッド層2,活性層3,p型クラッド層4,及びn型電流ブロック層5を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターン7を形成し、この後、上記絶縁膜パターン7をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を塩素系ガスエッチングの手法を用いてエッチングし、その側面が(111)B面である断面V字型のストライプ溝を形成し、該ストライプ溝内に上記活性層に電流を注入するための電流通路を形成した後、上記ストライプ溝内にp型半導体8を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にp型コンタクト層11を結晶成長する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザを製造する方法において、第1導電型基板上に、第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層,及び第1導電型電流ブロック層を含む半導体積層構造を成長する工程と、上記半導体積層構造上に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターンを形成する工程と、上記絶縁膜パターンをエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を所定の結晶面に対して垂直方向のエッチング速度が他の方向におけるエッチング速度に比して極めて遅くなるエッチング方法によりエッチングし、その側面が上記所定の結晶面である断面V字型のストライプ溝を形成し、該ストライプ溝内に上記活性層に電流を注入するための電流通路を形成する工程と、上記ストライプ溝内に第2導電型半導体を埋め込み成長する工程と、ウエハ上に第2導電型コンタクト層を結晶成長する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (21件)

特開平3-062585
特開昭61-100986
特開平1-253985

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