有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245727
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059780
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに経時劣化が抑えられた有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。【解決手段】水素結合供与性部分と水素結合受容性部分とを併せ持つ芳香族基を有し、かつ分子構造内に金属を含まない化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

水素結合供与性部分と水素結合受容性部分とを併せ持つ芳香族基を有し、かつ分子構造内に金属を含まない化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (5件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 51/50

FI (8件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 250F , H01L29/28 250E , H01L29/28 310J , H05B33/14 A

Fターム (41件)：

3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 4C063AA05 , 4C063BB01 , 4C063CC92 , 4C063DD25 , 4C063EE10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK32 , 5F110NN72

引用特許：

出願人引用 (5件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社
αヘキサチエニールを含む製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039190 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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引用文献：

審査官引用 (7件)

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