特許
J-GLOBAL ID：200903062948227119

誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法

発明者：
ハッカー,ナイジェル・ピー

ハッカー,ナイジェル・ピー について

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トーマス,マイケル

トーマス,マイケル について

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ドレイジ,ジェイムズ・エス

ドレイジ,ジェイムズ・エス について


出願人/特許権者：
ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  栗田 忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-505668
公開番号（公開出願番号）：特表2004-511896
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
非多孔質発泡シリカ誘電体もしくは非多孔質シリカ誘電体が、成形加工法および誘電体表面から疎水性を低下もしくは除去する試薬により容易に損傷する、シリカ誘電フィルム。本発明は、基体の上に存在するそのような損傷シリカ誘電フィルムに疎水性を与える方法を提供する。本発明は、新しいシリカ誘電フィルムおよび損傷シリカ誘電フィルムの両方に疎水性を与えるためのプラズマ系方法も提供する。本発明のプロセスにより調製される半導体装置も提供される。
請求項（抜粋）：
基体の上に存在する損傷シリカ誘電フィルムに疎水性を与える方法であって、前記誘電フィルムが、前記誘電フィルムの以前に存在していた疎水性を実質的に損傷もしくは除去するような方法で少なくとも1つのエッチング剤もしくは灰化試薬と接触しており: (a)前記損傷シリカ誘電フィルムを、表面改質組成物と、該シリカ誘電フィルムを疎水性にするのに有効な濃度及び期間で接触させ;そして (b)未反応の表面改質組成物、反応生成物、およびこれらの混合物を除去する(前記表面改質組成物は、損傷シリカ誘電フィルムからシラノール部分を除去するのに適する少なくとも1つの表面改質剤を含む) ことを含む方法。
IPC (1件)：
H01L21/316
FI (1件)：
H01L21/316 P
Fターム (7件)：
5F058BA20 ,  5F058BC05 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (9件)
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