特許
J-GLOBAL ID:200903062872332619
薄板の表面形状測定方法および薄板の表面形状測定装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 史旺 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-158892
公開番号(公開出願番号):特開平11-351857
出願日: 1998年06月08日
公開日(公表日): 1999年12月24日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、シリコンウェーハ等の薄板の表面形状を精密に測定するための薄板の表面形状測定方法および薄板の表面形状測定装置ならびに薄板の厚み測定方法に関し、薄板の表面形状を高い精度で測定することを目的とする。【解決手段】 薄板を同一平面内において回動自在に支持するとともに、前記平面の一側および他側に前記平面に平行に第1および第2の案内軸を、第1および第2の案内軸が平行になるように配置し、前記第1および第2の案内軸に沿って独立に移動する第1および第2の計測手段により前記薄板の一面および他面までの距離を独立して測定し、前記薄板の一面および他面の表面形状を測定することを特徴とする。
請求項(抜粋):
薄板を同一平面内において回動自在に支持するとともに、前記平面の一側および他側に前記平面に平行に第1および第2の案内軸を、第1および第2の案内軸が平行になるように配置し、前記第1および第2の案内軸に沿って独立に移動する第1および第2の計測手段により前記薄板の一面および他面までの距離を独立して測定し、前記薄板の一面および他面の表面形状を測定することを特徴とする薄板の表面形状測定方法。
IPC (3件):
G01B 21/20
, H01L 21/66
, H01L 21/68
FI (3件):
G01B 21/20 C
, H01L 21/66 J
, H01L 21/68 K
引用特許:
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