透明導電膜形成用ITO焼結体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大場充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271993
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188871
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【課題】本発明は低温成膜によっても低抵抗なITO膜が得られる透明導電膜形成用ITO焼結体を提供することを目的とする。【解決手段】実質的にIn,Sn及びOからなるITO焼結体において主相とmol比でIn:Sn=1.6:1〜3.0:1からなる第2相とを有する透明導電膜形成用ITO焼結体。

請求項（抜粋）：

実質的にIn,Sn及びOからなるITO焼結体において主相とmol比でIn:Sn=1.6:1〜3.0:1からなる第2相とを有することを特徴とする透明導電膜形成用ITO焼結体。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C01G 19/00 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

引用特許：

出願人引用 (5件)

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