特許

J-GLOBAL ID：200903062939452932

レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-107428
公開番号（公開出願番号）：特開2006-285075
出願日： 2005年04月04日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【解決手段】 下記一般式(1)で示される複数のビスフェノール基を有する化合物を含有することを特徴とするレジスト材料。【効果】 露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超LSI製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型又はネガ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型又はネガ型レジスト材料を得ることができる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される複数のビスフェノール基を有する化合物を含有することを特徴とするレジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (20件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006BN30 ,  4H006BP10 ,  4H006BP30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-195616   出願人：信越化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• ポジ型感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-098671   出願人：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-088353   出願人：富士写真フイルム株式会社