特許
J-GLOBAL ID:200903046938407709
ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-088353
公開番号(公開出願番号):特開2005-309421
出願日: 2005年03月25日
公開日(公表日): 2005年11月04日
要約:
【課題】 高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、及び良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸の作用によりアルカリ可溶性基を生じる基を含有する特定構造の化合物をレジスト組成物の固形分中、50質量%以上含有するとともに、活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(T)1分子中に酸分解性基を少なくとも2つ以上含有し、芳香環とアルキレン鎖またはシクロアルキレン鎖とからなり、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する化合物、をレジスト組成物の固形分中、50質量%以上含有し、更に、(B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
但し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する化合物(T)はカリックスアレーンを含まない。
また、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する化合物(T)はポリマーではない。
IPC (3件):
G03F7/039
, G03F7/004
, H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
Fターム (13件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (3件)
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フォトレジスト基材及びその組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-112458
出願人:出光興産株式会社
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ポジ型感光性組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-286045
出願人:富士写真フイルム株式会社
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新規有機化合物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-284316
出願人:財団法人大阪産業振興機構
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