特許

J-GLOBAL ID：200903062943317837

樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液

発明者： 本間 英夫 ,  石橋 純一 ,  鈴木 雅子 ,  丸山 恵美 ,  藤波 知之
出願人/特許権者： 本間 英夫 ,  株式会社マルチ ,  ジェイエスアール株式会社 ,  荏原ユージライト株式会社
代理人 (1件)： 小野 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-071266
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256349
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】 簡便に、安定して樹脂基材と導体層間の高い密着強度を得ることのできる手段を開発すること。【解決手段】 触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上におけるめっき析出速度を0.5μm/30分以下に制御した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すことを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。この方法に利用できる無電解銅めっき浴の例としては、銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤としてホルムアルデヒドまたはグリオキシル酸および析出制御剤を含み、pHが12〜13の範囲である無電解銅めっき液並びに銅イオン、銅イオンの錯化剤としてのクエン酸またはその塩および還元剤として次亜リン酸またはその塩を含み、pH8.0〜11.0の範囲である無電解銅めっき液が挙げられる。

請求項（抜粋）：

触媒化処理をした樹脂基材上に、銅上におけるめっき析出速度を0.5μm/30分以下に制御した無電解銅めっきを施し、次いで電気めっきを施すことを特徴とするに樹脂基材への高密着性めっき方法。

IPC (4件)：

C23C 18/40 ,  C23C 18/18 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/00

FI (4件)：

C23C 18/40 ,  C23C 18/18 ,  C23C 28/02 ,  C25D 5/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 転写銅箔用銅被覆ポリイミド基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-331415   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 無電解銅めっき皮膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308650   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭55-117299