イオンビームによる試料加工方法、イオンビーム加工装置、イオンビーム加工システム、及びそれを用いた電子部品の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-174412
公開番号（公開出願番号）：特開2005-010014
出願日： 2003年06月19日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】ウェーハをプロセスに問題となるGaのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離または分離準備する方法を提供する。【解決手段】第1のイオン源から放出される第1のイオンビームを照射し走査して試料14の一部をマイクロサンプル6に加工する手段と、前記第1のイオンビームにより加工された前記マイクロサンプルを前記試料から分離するプローブと、第2のイオンビーム加工装置17から照射し、前記マイクロサンプル6を前記第2のイオンビームを用いて加工する方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

元素種として不活性ガス種、酸素または窒素のうち少なくとも一つの元素種を含む第1のイオンビームを用いて、試料の一部を試料片に加工する工程と、前記加工された試料片を前記試料から分離する工程と、前記第1のイオンビームとは異なる第2のイオンビームを用いて、前記分離された試料片を加工する工程とを含むことを特徴とするイオンビームによる試料加工方法。

IPC (8件)：

G01N1/28 , G01N1/32 , H01J27/02 , H01J37/04 , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/66

FI (8件)：

G01N1/28 G , G01N1/32 B , H01J27/02 , H01J37/04 A , H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/317 D , H01L21/66 N

Fターム (19件)：

2G052AA13 , 2G052AD32 , 2G052EC14 , 2G052EC18 , 2G052GA34 , 4M106AA01 , 4M106BA03 , 4M106DH60 , 5C030AA04 , 5C030AB05 , 5C030DD07 , 5C030DE05 , 5C030DE10 , 5C034AA01 , 5C034AA02 , 5C034AB01 , 5C034DD01 , 5C034DD02 , 5C034DD06

引用特許：

審査官引用 (5件)

集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-035569 出願人：株式会社日立製作所
試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-210803 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-065045

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