フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：大野聖二 , 森田耕司 , 片山健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-263482
公開番号（公開出願番号）：特開2006-078825
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】微細なフォトマスクパターンが高精度で形成されたフォトマスクおよびこれを提供するためのフォトマスクブランクを提供すること。【解決手段】フォトマスク基板11の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング((Cl+O)系ドライエッチング)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング(Cl系ドライエッチング)およびフッ素系ドライエッチング(F系ドライエッチング)でエッチングが可能な金属膜が遮光層12として備えられている。そしてこの遮光層12の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層13として備えられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)およびフッ素系ドライエッチング(F系)でエッチングが可能な金属膜の遮光層と、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方でエッチングが可能な金属化合物膜の反射防止層と、を備えていることを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , C23F 4/00 , G03F 1/14 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F1/08 G , C23F4/00 A , G03F1/14 E , H01L21/30 502P

Fターム (14件)：

2H095BB16 , 2H095BC05 , 2H095BC13 , 4K057DA11 , 4K057DB08 , 4K057DB11 , 4K057DB15 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DE06 , 4K057DE20 , 4K057DG12 , 4K057DN01 , 4K057DN03

引用特許：

出願人引用 (5件)

ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-400378 出願人：HOYA株式会社
フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-399790 出願人：HOYA株式会社
登録実用新案第3093632号公報

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審査官引用 (3件)

特開平4-075059
特開昭59-139033
特開昭62-044740

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