特許
J-GLOBAL ID:200903062981982240

化学機械研磨装置および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阪本 善朗
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-132765
公開番号(公開出願番号):特開平10-071562
出願日: 1997年05月07日
公開日(公表日): 1998年03月17日
要約:
【要約】【課題】 ウエハ等の被研磨面を高速かつ高精度で均一に研磨する。【解決手段】 第1ないし第4の研磨工具210〜213は、基板W1 の口径より小さい口径を有し、各研磨工具210〜213を基板W1 に押しつけて自転させ、かつ公転テーブル208の回転によって公転させるとともに、基板W1 を支持する回転テーブル205を回転させながら径方向へ揺動、走査させて化学機械研磨を行なう。
請求項(抜粋):
被加工物の被研磨面と、前記被研磨面に所定の加工圧を与えた状態で当接された研磨工具の研磨面との間に研磨剤を供給しつつ研磨を行なう化学機械研磨装置において、前記被加工物を保持して回転させるための回転テーブルと、前記回転テーブルを支持して径方向へ移動させるためのスライダと、前記被加工物の口径よりも小さい口径であってそれぞれ口径の異なる複数の研磨工具を互いに間隔をおいて同一公転半径部位に回転自在かつ軸方向へ移動自在に支持する公転テーブルと、前記公転テーブルを公転させるための公転テーブル回転駆動機構と、前記複数の研磨工具をそれぞれ個別に自転させるとともに軸方向へ移動させるための回転駆動機構兼直線駆動機構を備えたことを特徴とする化学機械研磨装置。
IPC (3件):
B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304
FI (3件):
B24B 37/04 B ,  H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 半導体基板の平坦化方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-037627   出願人:松下電器産業株式会社
  • ウェーハ研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-232890   出願人:日本電気株式会社
  • 研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-002954   出願人:高田穣一
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