特許
J-GLOBAL ID：200903062985780227
Cat-PECVD法、その方法の実施に用いる装置、その方法を用いて形成した膜、およびその膜を用いて形成したデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-067445
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273023
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 Si系あるいはC系の薄膜を、高速かつ高品質に、大面積にわたって均一性の高い状態で製膜する方法、及び装置、さらに形成された膜、及びその膜を用いたデバイスを高性能かつ低コストに製造すること。【解決手段】 分子式にSiまたはCを含むガスを含んだ原料系ガスと、分子式にSiとCを含まないガスからなる非Si・非C系ガスの水素ガスとを、分離された状態で複数のガス噴出口を有したシャワーヘッドを通して製膜空間に導入し、少なくとも非Si・非C系ガスは該ガスの導入経路に配設され加熱用電源に接続された熱触媒体によって加熱し、上記製膜空間に高周波電源に接続された非平板状電極でプラズマ空間を生成させて上記基体に膜を堆積させることによって、実現することができる。また本発明による方法で形成した膜を用いることで、低コストで高効率な薄膜Si系太陽電池に代表される光電変換装置等のデバイスを作製することができる。
請求項（抜粋）：
分子式にSiまたはCを含むガスを含んだ原料系ガスと、導入経路に配設された熱触媒体によって加熱される分子式にSiとCを含まないガスからなる非Si・非C系ガスとが、分離された状態で複数のガス噴出口を有するシャワーヘッドを通して製膜空間に導入されて混合され、この製膜空間に高周波電源に接続された非平板状電極でプラズマ空間を生成して基体に膜を堆積するCat-PECVD法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/42
, C23C 16/44
H01L 21/205
, C23C 16/42
, C23C 16/44 A
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030BA40
, 4K030EA05
, 4K030FA03
, 4K030FA14
, 4K030FA17
, 4K030JA10
, 4K030JA18
, 4K030KA15
, 4K030LA16
, 4K030LA18
, 5F045AA08
, 5F045AB04
, 5F045AC01
, 5F045AD05
, 5F045AD06
, 5F045AE17
, 5F045AE19
, 5F045AE21
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045BB09
, 5F045CA13
, 5F045DP03
, 5F045DQ15
, 5F045EB02
, 5F045EF05
, 5F045EH04
, 5F045EH19
, 5F045HA25
