特許
J-GLOBAL ID：200903063013374101
半導体レーザモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-194170
公開番号（公開出願番号）：特開2000-028865
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 光アイソレータを内蔵した小型で安価な半導体レーザモジュールを提供し、光通信システムの小型・低価格化に貢献する。【解決手段】 基板上に設けられた半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップから出力されるレーザ光を伝送させるように基板上に形成された第1の光導波路と、該第1の光導波路と所定の間隔を隔てて基板上に形成された第2の光導波路と、第1の光導波路と上記第2の光導波路との間に設けられた光アイソレータチップとを備え、半導体レーザダイオードチップの出力するレーザ光を第1の光導波路、光アイソレータチップ及び第2の光導波路を介して出力する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップから出力されるレーザ光を伝送させるように上記基板上に形成された第1の光導波路と、該第1の光導波路と所定の間隔を隔てて上記基板上に形成された第2の光導波路と、上記第1の光導波路と上記第2の光導波路との間に設けられた光アイソレータチップとを備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
2H037AA01
, 2H037BA24
, 2H037BA31
, 2H037CA34
, 2H037DA02
, 2H037DA12
, 2H037DA17
, 2H037DA18
