特許
J-GLOBAL ID:200903063013374101
半導体レーザモジュール
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-194170
公開番号(公開出願番号):特開2000-028865
出願日: 1998年07月09日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 光アイソレータを内蔵した小型で安価な半導体レーザモジュールを提供し、光通信システムの小型・低価格化に貢献する。【解決手段】 基板上に設けられた半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップから出力されるレーザ光を伝送させるように基板上に形成された第1の光導波路と、該第1の光導波路と所定の間隔を隔てて基板上に形成された第2の光導波路と、第1の光導波路と上記第2の光導波路との間に設けられた光アイソレータチップとを備え、半導体レーザダイオードチップの出力するレーザ光を第1の光導波路、光アイソレータチップ及び第2の光導波路を介して出力する。
請求項(抜粋):
基板上に設けられた半導体レーザダイオードチップと、該半導体レーザダイオードチップから出力されるレーザ光を伝送させるように上記基板上に形成された第1の光導波路と、該第1の光導波路と所定の間隔を隔てて上記基板上に形成された第2の光導波路と、上記第1の光導波路と上記第2の光導波路との間に設けられた光アイソレータチップとを備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (8件):
2H037AA01
, 2H037BA24
, 2H037BA31
, 2H037CA34
, 2H037DA02
, 2H037DA12
, 2H037DA17
, 2H037DA18
引用特許:
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