特許
J-GLOBAL ID：200903063014453978
アクティブマトリックス基板およびその製造方法、液晶パネル
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-052456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-249168
出願日： 1998年03月04日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 TFTの層間絶縁膜を平坦化した構造のアクティブマトリックス基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板(ガラス基板5)上に画素電極(3)がマトリックス状に配列形成され、各画素電極に対応して半導体薄膜を所定のパターンで積層した薄膜トランジスタ(TFT4)が形成されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜の内の少なくとも一つの層間絶縁膜(第2層間絶縁膜14)は、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の塗布膜の焼成物で構成されるようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に画素電極がマトリックス状に形成されてなり、各画素電極に接続して薄膜トランジスタが形成されてなるアクティブマトリックス基板であって、前記薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜の内の少なくとも一つの層間絶縁膜は、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の塗布膜の焼成物で構成されることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
G02F 1/136 500
, H01L 29/78 619 B
