ビット線容量を最適化できる強誘電体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-062981
公開番号（公開出願番号）：特開2003-263886
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】強誘電体メモリにおいて、ビット線容量を適宜増大して最適値に修正することができるようにし、読み出しマージンが低下することを防止する。【解決手段】強誘電体メモリにおいて、複数のワード線WLと、それに交差する複数のビット線BLと、それらの交差位置に配置され、強誘電体キャパシタC1,C2を有する複数のメモリセルMCと、ビット線に接続可能な修正用キャパシタCcとを有する。修正用キャパシタは、適宜ビット線に接続されて、ビット線容量を所定量増大可能に構成されている。

請求項（抜粋）：

強誘電体メモリにおいて、複数のワード線と、前記ワード線に交差する複数のビット線と、前記ワード線及びビット線の交差位置に配置され、強誘電体キャパシタを有する複数のメモリセルと、前記ビット線に接続可能な複数の修正用キャパシタとを有し、前記複数の修正用キャパシタの少なくとも一部が、前記ビット線に接続されることを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/22 501 , H01L 27/105

FI (3件)：

G11C 11/22 501 F , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 444 Z

Fターム (8件)：

5F083CR03 , 5F083FR03 , 5F083JA32 , 5F083LA03 , 5F083LA15 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083ZA28

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-012482 出願人：松下電器産業株式会社
強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-299400 出願人：沖電気工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-026390 出願人：沖電気工業株式会社

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