特許

J-GLOBAL ID：200903063025539327

電源システム、マルチチップモジュール、システムインパッケージ、および非絶縁型DC/DCコンバータ

発明者： 白石 正樹
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031587
公開番号（公開出願番号）：特開2006-223016
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】 非絶縁型DC/DCコンバータの変換効率を向上させ、高効率化を実現することができる電源システムを提供する。【解決手段】 ハイサイドスイッチ1とローサイドスイッチ2とを有する電源システムに用いられる非絶縁型DC/DCコンバータにおいて、ハイサイドスイッチ1に、低容量かつ低オン抵抗の、窒化ガリウム素子のHEMTやHFETを使用し、ローサイドスイッチ2に、低オン抵抗のシリコン素子の縦型パワーMOSFETを使用する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ハイサイドスイッチと、ローサイドスイッチとを有する電源システムであって、 前記ハイサイドスイッチは、窒化ガリウム素子であることを特徴とする電源システム。

IPC (5件)：

H02M 3/155 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (4件)：

H02M3/155 T ,  H02M3/155 Y ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/80 H

Fターム (18件)：

5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5H730AA14 ,  5H730AS01 ,  5H730AS19 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730DD17 ,  5H730DD26 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-007191   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• 直交変換回路、電力変換装置、及び、発電システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-055808   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-175243   出願人：日本電気株式会社